公开/公告号CN101552199A
专利类型发明专利
公开/公告日2009-10-07
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院微电子研究所;
申请/专利号CN200810103229.2
申请日2008-04-02
分类号H01L21/331;H01L21/28;H01L21/82;H01L21/768;
代理机构中科专利商标代理有限责任公司;
代理人周国城
地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号
入库时间 2023-12-17 22:44:28
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2012-02-15
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/331 公开日:20091007 申请日:20080402
发明专利申请公布后的视为撤回
2009-12-02
实质审查的生效
实质审查的生效
2009-10-07
公开
公开
机译: 单片集成集电极-基极二极管-发射极区不与衬底中的基极区和集电极区流电连接,且外延层的导电性相反
机译: -用于减小寄生基极-集电极电容的基极焊盘布局和HBT的制造方法
机译: 在沟槽中具有基极区域的纵向双极晶体管,其发射极和集电极区域沿着基极侧面的一部分设置