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在HBT工艺中同时制作基极和集电极接线柱的方法

摘要

本发明公开了一种在HBT工艺中同时制作基极和集电极接线柱的方法,包括:A.在已进行发射极、基极金属以及集电极台面腐蚀的基片上,旋涂光刻胶,光刻、显影,制作集电极金属图形;B.蒸发集电极金属;C.剥离集电极金属;D.进行接线柱图形的光刻;E.蒸发接线柱金属;F.剥离接线柱金属。利用本发明,由于将基极、集电极接线柱的工艺通过一次工艺完成,节省了大量的人力和物力,所以简化了制作工艺,降低了制作成本。

著录项

  • 公开/公告号CN101552199A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2009-10-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院微电子研究所;

    申请/专利号CN200810103229.2

  • 发明设计人 金智;刘新宇;

    申请日2008-04-02

  • 分类号H01L21/331;H01L21/28;H01L21/82;H01L21/768;

  • 代理机构中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人周国城

  • 地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号

  • 入库时间 2023-12-17 22:44:28

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2012-02-15

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/331 公开日:20091007 申请日:20080402

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2009-12-02

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2009-10-07

    公开

    公开

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