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在ALD/CVD工艺中用于GST膜的锑前驱体

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摘要

本发明涉及在ALD/CVD工艺中用于GST膜的锑前驱体。本发明是一种制造锗-锑-碲合金膜的方法，该方法利用了选自原子层沉积和化学气相沉积中的一种工艺，其中甲硅烷锑前驱体被用作为合金膜中锑的来源。新的甲硅烷锑化合物也被公开。

著录项

  • 公开/公告号CN101497999A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2009-08-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 气体产品与化学公司;

    申请/专利号CN200910126767.8

  • 发明设计人 萧满超;

    申请日2009-02-01

  • 分类号C23C30/00(20060101);C23C16/44(20060101);C07F9/90(20060101);

  • 代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人刘锴;林森

  • 地址 美国宾夕法尼亚州

  • 入库时间 2023-12-17 22:27:31

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-07-18

    专利权的转移 IPC(主分类):C23C30/00 登记生效日:20170629 变更前: 变更后: 申请日:20090201

    专利申请权、专利权的转移

  • 2012-08-08

    授权

    授权

  • 2009-09-30

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2009-08-05

    公开

    公开

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