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改进的导电凸块、包括改进的导电凸块的线圈及形成方法

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摘要

本发明涉及使用引线接合机器形成导电凸块的一种方法。本方法包括(a)在半导体元件的触头垫上放置无空气球凸块；(b)在被放置的无空气球凸块上形成引线的第一层；以及(c)在引线的第一层上形成引线的第二层。

著录项

公开/公告号CN101505905A

专利类型发明专利
公开/公告日2009-08-12

原文格式PDF
申请/专利权人库利克和索夫工业公司;
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申请/专利号CN200680055630.2
发明设计人 K·塔吉玛;S·E·巴比奈茨;秦巍;
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申请日2006-10-18
分类号B23K20/00;
代理机构永新专利商标代理有限公司;
代理人蔡胜利
地址美国宾夕法尼亚
入库时间 2023-12-17 22:23:16

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2012-03-14

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):B23K20/00 公开日:20090812 申请日:20061018

发明专利申请公布后的视为撤回
2009-10-07

实质审查的生效

实质审查的生效
2009-08-12

公开

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外文文献

1. 改进的导电凸块、包括改进的导电凸块的线圈及形成方法 [P] . 中国专利： CN101505905A . 2009-08-12
2. 形成导电凸块的方法及具有如此形成的导电凸块的装置 [P] . 中国专利： CN1665006A . 2005-09-07
3. Electromagnetic radiation detecting device, has electrically conducting contact comprising P-type area that allows passage of charges between conducting bump and P-type semiconductor substrate, and N-type area arranged in contact with bump [P] . 法国专利： FR2972296A1 . 2012-09-07

机译：电磁辐射检测装置具有导电触点，该导电触点包括允许电荷在导电凸块和P型半导体衬底之间通过的P型区域以及与凸块接触设置的N型区域
4. Electromagnetic radiation detecting device, has electrically conducting contact comprising P-type area that allows passage of charges between conducting bump and P-type semiconductor substrate, and N-type area arranged in contact with bump [P] . 法国专利： FR2972295A1 . 2012-09-07

机译：电磁辐射检测装置具有导电触点，该导电触点包括允许电荷在导电凸块和P型半导体衬底之间通过的P型区域以及与凸块接触设置的N型区域
5. Semiconductor package for use in e.g. electronic system, has upper semiconductor device comprising conductive bumps that connect pads on upper surface of interposer to corresponding terminal on lower surface of device [P] . 德国专利： DE102011055018A1 . 2012-08-23

机译：用于例如半导体的半导体封装电子系统，具有上部半导体器件，该上部半导体器件包括导电凸块，该导电凸块将插入件上表面上的焊盘连接到器件下表面上的相应端子