CMOS晶体管栅极中的凹入功函数金属

摘要

晶体管栅极包括：衬底，表面上设置有一对间隔物；高k电介质，保形地沉积在所述间隔物之间的衬底上；凹入功函数金属，其在高k电介质上并沿着所述间隔物的侧壁的一部分保形地沉积；第二功函数金属，保形地沉积在凹入功函数金属上；以及电极金属，沉积在第二功函数金属上。所述晶体管栅极可以通过以下步骤形成：将高k电介质保形地沉积在衬底上的间隔物之间的沟槽中、在高k电介质上保形地沉积功函数金属、在功函数金属上沉积牺牲掩模、蚀刻所述牺牲掩模的一部分以暴露功函数金属的一部分、以及蚀刻功函数金属的暴露部分以形成凹入功函数金属。第二功函数金属和电极金属可沉积在凹入功函数金属上。