Annealing; Field effect transistors; Mosfet semiconductors; Metals; Computer aided design; Resistance; Gates(Circuits); Lasers; Aluminum; Direct current; Polysilicons; Subsurface; Excimers; Radiofrequency; Scaling factor; Reduction; Pulsed lasers; Parallel processing; Energy; Threshold effects; Measurement;
机译:采用28 nm高k /金属栅平面体CMOS技术的高度对称10晶体管2读/写双端口静态随机存取存储器位单元设计
机译:电荷陷阱晶体管(CTT):嵌入式逻辑兼容的多次可编程的非易失性存储元件,用于高k金属门CMOS技术
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机译:在晶体管性能和图案对32 nm以下节点的SOI-CMOSFET的影响方面,对非熔融激光尖峰退火和闪光灯退火进行了比较研究
机译:晶体管放置算法,用于CMOS / BiCMOS逻辑和接口电路的自动布局合成。
机译:作为后CMOS器件基于石墨烯的横向异质结构晶体管表现出比基于石墨烯的垂直晶体管更好的固有性能
机译:电荷陷阱晶体管(CTT):嵌入式完全逻辑兼容的多时可编程非易失性的非易失性存储器,用于高-$ k $-$-$-Metal-Gate CMOS技术
机译:激光退火金属栅极sOI CmOs场效应晶体管的直流和射频特性