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曾传滨; 海潮和; 李多力; 韩郑生;
中国科学院微电子研究所;
北京100029;
金属氧化物半导体; 绝缘体上硅; 闩锁; 敏感区域; 栅极触发; 临界下降沿;
机译:微波脉冲引起的CMOS反相器闩锁效应的器件仿真研究
机译:用于28nm High-k金属栅极CMOS工艺中的ESD保护的低泄漏,低触发电压SCR器件
机译:对20 nm前栅极和28 nm前栅极批量CMOS技术的比较失配研究
机译:在22NM三栅极CMOS中PVT变异和老化诱导触发器阵列触发器阵列的诱导时间边缘的表征
机译:研究栅极氧化层击穿和热电子对CMOS电路性能的影响。
机译:高k和更稳定的稀土氧化物作为先进CMOS器件的栅极电介质的设计
机译:基于栅极触发的高效技术,用于设计具有极低毛刺功率耗散的静态CmOs IC
机译:激光退火金属栅极sOI CmOs场效应晶体管的直流和射频特性
机译:防止闩锁效应的CMOS半导体器件的结构和制造方法
机译:用于减小集成CMOS电路中的闩锁效应的装置
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