亚微米HBT发射极/HEMT栅空气桥引出的方法

摘要

本发明公开了一种亚微米HBT发射极/HEMT栅空气桥引出的方法，包括：在基片上涂一次光刻胶覆盖HBT发射极/HEMT栅；采用与HBT发射极/HEMT栅相同或相似的掩膜版进行光刻、曝光、显影，制作空气桥支撑；烘烤显影后的基片，使牺牲胶的边角圆滑并固化；在基片上涂二次光刻胶；刻蚀或腐蚀二次光刻胶，露出HBT的发射极/HEMT栅金属；烘烤刻蚀或腐蚀二次光刻胶的基片，使光刻胶固化；在基片上涂三次光刻胶，然后烘烤、曝光、显影得到桥面；在基片表面蒸发/溅射一层金属材料；剥离去除不需要的金属及所有光刻胶，形成空气桥。利用本发明，简化了制作工艺，制作的可控性好，保证了金属互联不受光刻条件的限制，减少了空气桥制作过程中对器件的损伤。