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具有高精度阈值电压的MOS晶体管的制造方法

摘要

一种具有高精度阈值电压的MOS晶体管的制造方法:在制作MOS晶体管之前,先在该晶体管的基体表面注入与该基体杂质类型相同的杂质,然后高温扩散推进所注入的杂质以在所述基体表面形成加浓层,最后在所形成的加浓层上按常规工艺制造MOS晶体管。该方法能获得高精度的阈值电压Vt,从而提高了电路的一致性和合格率。

著录项

  • 公开/公告号CN101207039A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2008-06-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海贝岭股份有限公司;

    申请/专利号CN200610147577.0

  • 发明设计人 陈康民;

    申请日2006-12-20

  • 分类号H01L21/336;

  • 代理机构北京金信立方知识产权代理有限公司;

  • 代理人黄威

  • 地址 200233 上海市宜山路810号

  • 入库时间 2023-12-17 20:19:29

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2010-09-29

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L21/336 公开日:20080625 申请日:20061220

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2008-10-08

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-06-25

    公开

    公开

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