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具有阈值电压设置凹槽的晶体管及其制造方法

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结构和制造其的方法涉及深耗尽沟道（DDC）设计，允许基于CMOS的器件具有比传统体CMOS减小的σV

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公开/公告号CN103081091B

专利类型发明专利
公开/公告日2015-09-02

原文格式PDF
申请/专利权人三重富士通半导体股份有限公司;
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申请/专利号CN201180040485.1
发明设计人 R·阿尔加瓦尼;L·希弗伦;P·拉纳德;S·E·汤普森;C·德维尔纳夫;
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申请日2011-06-21
分类号
代理机构隆天知识产权代理有限公司;
代理人张浴月
地址日本三重县
入库时间 2022-08-23 09:29:47

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2015-09-02

专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L21/8234 变更前: 变更后: 登记生效日:20150810 申请日:20110621

专利申请权、专利权的转移
2015-09-02

授权

授权
2013-07-24

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/8234 申请日:20110621

实质审查的生效
2013-05-01

公开

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