作製後の電子局在注入による非対称パスゲートトランジスタ及びしきい値電圧ばらつき自己修復機能を有する6トランジスタ型SRAMとその読み出し安定性の向上

摘要

本論文ではSRAMセルの安定性を自己修復するように一方のパスゲートトランジスタのゲート絶縁膜中に局所的に電子を注入することでSRAMの読み出しの安定性を70％向上させる手法を提案する．本提案手法は電子注入を多数のセルにおいて同時に行うことが可能である．また，電子はパスゲートトランジスタの記憶保持ノード側の接合端付近の絶縁膜中に局所的に注入されるため，しきい値電圧が読み出し時と書き込み時に非対称なパスゲートトランジスタになっており，書き込み特性の劣化なくスタティックノイズマージンを24％向上することができる．本手法はチップ作製後に電子注入を行うためプロセスの追加やセル面積の増加がない．