一种高电子迁移率晶体管T形栅的制造方法、T形栅和晶体管

摘要

本发明公开了一种高电子迁移率晶体管T形栅的制造方法、T形栅和晶体管，方法包括以下步骤：在半导体基板上涂布第一层光刻胶进行烘烤、I‑line光刻、显影、清洗形成具有垂直面的下层根部腔体；在下层根部腔体上涂布一层水溶性微缩层，对所述微缩层扩散烘烤，以仅在所述垂直面表面形成扩散微缩层；水洗以去除光酸未扩散的微缩层后进行烘烤热变形，下层根部腔体形成具有圆弧边角的下层根部腔体，微缩层形成隔离层；在下层根部腔体表面涂布第二层光刻胶，对第二层光刻胶进行烘烤、曝光、显影、清洗形成上层头部腔体；形成T形栅。本发明不仅无需低功率离子轰击避免衬底(半导体基板)的外延层的损伤，而且可以节省制作工艺的步骤减少制作时间。