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刁冬梅; 杨银堂; 朱樟明;
西安电子科技大学,微电子研究所,陕西,西安,710071;
集成电路; 不匹配; 阈值电压; MOS;
机译:短沟道MOS晶体管中的阈值电压不匹配
机译:几何形状和温度对硅纳米线MOS晶体管阈值电压特性的影响
机译:短沟道晶体管阈值电压不匹配的异常相关性
机译:基于MOS晶体管栅极掺杂剂数的随机波动的阈值电压不匹配模型
机译:应变对硅CMOS晶体管的影响:阈值电压,栅极隧穿电流和1 / f噪声特性。
机译:MoS2 / MoOx界面的电子特性:隧道场效应晶体管和空穴接触的含义
机译:场效应晶体管:多层MOS2场效应晶体管的阈值电压控制通过十八烷基氯硅烷及其应用于由增强模式逻辑门驱动的有源矩阵量子点显示器(小7/2019)
机译:Gaas调制掺杂场效应晶体管(mODFETs)中的高能中子辐照效应:阈值电压
机译:静态随机存取存储器单元具有双稳态电路,该双稳态电路具有两个具有各自阈值电压的nMOS晶体管和两个开关晶体管,其中一个阈值电压大于另一个阈值电压
机译:级联到具有PMOS上拉晶体管的CMOS驱动器的bi-CMOS缓冲器,该晶体管的阈值电压大于bi-CMOS双极上拉晶体管的VBE
机译:通过可独立控制多栅极晶体管的阈值电压特性的角注入来控制鳍式晶体管的阈值电压的方法
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