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公开/公告号CN101140862A
专利类型发明专利
公开/公告日2008-03-12
原文格式PDF
申请/专利权人 国际商业机器公司;
申请/专利号CN200710147837.9
发明设计人 H·L·霍;程慷果;大谷洋一;K·R·温斯特尔;
申请日2007-08-30
分类号H01L21/02;H01L21/84;H01L29/92;H01L27/12;
代理机构北京市金杜律师事务所;
代理人王茂华
地址 美国纽约阿芒克
入库时间 2023-12-17 19:49:57
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2011-09-14
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L21/02 公开日:20080312 申请日:20070830
发明专利申请公布后的驳回
2008-05-07
实质审查的生效
2008-03-12
公开
机译: 基于深沟槽电容器配置的用于高级SOI器件的衬底触点的形成方法
机译: 通过SOI衬底的深沟槽电容器及其形成方法
机译: 绝缘体上半导体衬底上的深隔离沟槽结构和深沟槽电容器
机译:通过深湿法刻蚀在GaAs上形成贯穿衬底的沟槽及其在GaAs CCD晶圆级封装中的应用
机译:具有双深氧化物沟槽的500 V SOI横向pin二极管,可实现快速反向恢复并抑制振荡
机译:具有改善的抗短路能力的500 V双栅极深氧化物沟槽SOI-LIGBT
机译:晶圆级芯片级封装中用于RF隔离的贯穿衬底沟槽
机译:引入多孔硅作为牺牲材料,以在SOI晶片的衬底中获得空腔,以及用于MEMS器件的吸气材料
机译:腔箱SOI:具有预先图案盒的先进硅衬底用于单片MEMS制造
机译:高纵横比硅衬底 - 通孔技术和应用:用于电源和接地的贯穿晶圆互连以及用于sOC隔离的法拉第笼
机译:晶片键合的虚拟衬底及其形成方法