BONDING; OPTOELECTRONIC DEVICES; SUBSTRATES; WAFERS; PATENTS;
机译:弯曲4“直径3C-SiC外膜形成在晶片键合的Si / SiC基材上
机译:使用四点探针伪金属氧化物半导体场效应晶体管方法对绝缘体上Ge(111)晶片粘结的电特性进行表征
机译:在未掺杂的GaP和蓝宝石衬底上的高性能晶片键合底部发射850 nm VCSEL
机译:晶片直接键合的薄膜InP层与Si衬底键合界面的特性
机译:具有剪切可变形各向异性被粘物的粘结接头的非弹性分析方法。
机译:一般方法计算弯曲晶晶片的弹性变形和X射线衍射性能
机译:键合晶圆基板上的siGe HBT