使用各向同性蚀刻工艺的肖特基势垒MOSFET制造方法

摘要

提供了一种制造用于调整电流量的晶体管器件的方法，其中，该器件具有肖特基势垒金属源极—漏极接触。在一个实施例中，该方法在形成金属源极—漏极接触之前采用各向同性蚀刻工艺，以对相对于沟道区域的肖特基势垒结位置提供更好的控制。对于肖特基势垒10结位置的可控制性的改进使得驱动电流增加和器件性能优化，从而显著改进可制造性。