用于单片集成具有隔离结构的MOS场效晶体管及其制作方法

摘要

一种用于单片集成具有隔离结构的金属氧化物半导体(MOS)场效晶体管器件，其中PMOS场效晶体管包括：置于P型衬底内的第一N型阱，第一P型区域置于第一N型阱区内，P+型漏极区域置于第一P型区域内，P+型源极区域与N+型接点区域形成第一源极电极，第一N型阱将PMOS场效晶体管的P+型源极区域与N+型接点区域包围起来；NMOS场效晶体管包括：置于P型衬底内的第二N型阱，第二P型区域置于第二N型阱区内，N+型漏极区域置于第二N型阱内，N+型源极区域与P+型接点区域形成一第二源极电极，第二P型区域将NMOS场效晶体管的N+型源极区域与P+型接点区域包围起来，多个分离P型区域置于该P型衬底内提供晶体管间的隔离。