具有低翘曲度和低弯曲度的层结构的半导体晶片及其制造方法

摘要

本发明涉及一种直径至少为200毫米、包括一个由硅构成的载体晶片、一个电绝缘层以及一个位于其上的半导体层的半导体晶片，该半导体晶片是利用包括至少一个快速热退火步骤的层转移法而制得，其特征在于，该半导体晶片的翘曲度低于30微米，Delta翘曲度低于30微米，弯曲度低于10微米且Delta弯曲度低于10微米。此外，本发明还涉及通过热处理制造所述的半导体晶片。