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硅衬底上Ⅲ族氮化物半导体外延生长技术

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摘要

一种硅单晶衬底上生长III族氮化物半导体单晶材料的新技术，该技术在外延生长III族氮化物半导体材料前须先生长两层缓冲层和一渐变层，缓冲层2是SiO

1. 硅衬底上Ⅲ族氮化物半导体外延生长技术 [P] . 中国专利： CN1725445A . 2006-01-25
2. 硅衬底上III族氮化物外延薄膜的选区生长方法及结构 [P] . 中国专利： CN104637795B . 2018.03.30
3. Method for heteroepitaxial growth of III metal-face polarity III-nitrides on substrates with diamond crystal structure and III-nitride semiconductors [P] . 美国专利： US10192737B2 . 2019-01-29

机译：在具有金刚石晶体结构的衬底和III族氮化物半导体上异质外延生长III族金属表面极性的III族氮化物的方法
4. Group-III nitride epitaxial layer on silicon substrate [P] . 美国专利： US8278125B2 . 2012-10-02

机译：硅衬底上的III族氮化物外延层
5. Group-III nitride epitaxial layer on silicon substrate [P] . 美国专利： US8030666B2 . 2011-10-04

机译：硅衬底上的III族氮化物外延层