首页> 中国专利> 半导体基板保存库、保存法及用它的半导体基板制造方法

半导体基板保存库、保存法及用它的半导体基板制造方法

页面导航

摘要
著录项
法律信息
相似文献

摘要

一种半导体基板保存库、保存方法及用它的半导体基板的制造方法，是在不使收纳容器的构造复杂的情况下在清洁的环境下保存半导体基板实现简便低成本高信赖性的保存库、保管方法及用它的半导体装置的制造方法。保存库(104)，包括空洞部(107)和通道部(120)。将通道部(120)的通道部门(106)与收纳容器(101)的盖体(102)的面相对紧密连接后，通过将盖体(102)从收纳容器(101)揭下，可以不使外界气体进入收纳容器(101)使空洞部(107)与收纳容器(101)连通。

著录项

公开/公告号CN1715152A

专利类型发明专利
公开/公告日2006-01-04

原文格式PDF
申请/专利权人松下电器产业株式会社;
展开▼

申请/专利号CN200510076482.X
发明设计人横井宏和;青木则茂;宫田毅;小仓毅勇;
展开▼

申请日2005-06-14
分类号B65G1/00;
代理机构中科专利商标代理有限责任公司;
代理人汪惠民
地址日本大阪府
入库时间 2023-12-17 16:50:55

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2008-02-27

发明专利申请公布后的视为撤回

发明专利申请公布后的视为撤回
2006-01-04

公开

公开

相似文献

专利
中文文献
外文文献

1. 半导体基板保存库、保存法及用它的半导体基板制造方法 [P] . 中国专利： CN1715152A . 2006-01-04
2. 半导体器件用基板的清洗液、半导体器件用基板的清洗方法、半导体器件用基板的制造方法和半导体器件用基板 [P] . 中国专利： CN110447090A . 2019-11-12
3. METHOD FOR PRESERVING GaN SUBSTRATE, PRESERVED SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE [P] . 日本专利： JP2007335583A . 2007-12-27

机译： GaN基板的保存方法，基板保存物，半导体装置及半导体装置的制造方法
4. METHOD FOR PRESERVING A GALLIUM NITRIDE SUBSTRATE, PRESERVED GALLIUM NITRIDE SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR [P] . 欧洲知识产权局专利： EP2484817A4 . 2014-03-12

机译：氮化镓基板的保存方法，氮化镓基板的保存方法，半导体装置及其制造方法
5. METHOD FOR PRESERVING A GALLIUM NITRIDE SUBSTRATE, PRESERVED GALLIUM NITRIDE SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR [P] . 欧洲知识产权局专利： EP2484817A1 . 2012-08-08

机译：氮化镓基板的保存方法，氮化镓基板的保存方法，半导体装置及其制造方法