增大硅片单位面积金属－电介质－金属电容容量的方法

摘要

本发明公开了一种增大硅片单位面积金属－电介质－金属电容容量的方法，利用本方法可增大硅片单位面积的电容容量。其技术方案是：完成层间膜平坦化，通孔或接触孔光刻/刻蚀/接触用金属淀积/金属CMP或反刻，然后通过光刻，刻蚀在制作电容的区域上的层间膜上开出沟槽，之后淀积下部电极，淀积介质膜，淀积上部电极，最后完成上部电极的图形化(光刻/刻蚀)和下部电极的图形化(光刻/刻蚀)。