机译:不同高k栅极电介质下的金属绝缘体 - 半导体和金属绝缘体 - 半导体 - 绝缘体 - 金属电容器的电气特性在半古典和量子机械模型中研究
Univ Monastir Fac Sci Monastir Lab Microelect &
Instrumentat LR13ES12 Ave Environm Monastir 5019 Tunisia;
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Nanotechnology; MIS device; MISIM device; quantum-mechanical model; semi-classical model; metal gate;
机译:不同高k栅极电介质下的金属绝缘体 - 半导体和金属绝缘体 - 半导体 - 绝缘体 - 金属电容器的电气特性在半古典和量子机械模型中研究
机译:电子束辐照对基于HfTiSiO(N)和HfTiO(N)层的高k介电叠层的金属-绝缘体-半导体电容器的电特性的影响
机译:具有高κHfO_xN_y栅极电介质的非晶InGaZnO金属-绝缘体-半导体电容器的改进的电特性和可靠性
机译:具有超薄高k电介质和金属栅电极的缩放NMOS晶体管栅极漏电流的量子机械模型
机译:基于future的多金属高k栅极电介质的电气和材料特性,可用于未来的规模化CMOS技术:物理,可靠性和工艺开发。
机译:频率和栅极电压对Al ∕ SiO2 ∕ p-Si金属-绝缘体-半导体肖特基二极管的介电性能和电导率的影响
机译:氮化镓衬底MOS电容器上高k阳极氧化铝栅极电介质的电学特性