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用场效应管和双极基极多晶硅层制造多晶硅电容器的方法

摘要

一种在衬底上同时制作多晶-多晶电容器、MOS晶体管、双极晶体管的方法,它包含下列步骤:在衬底上淀积和图形化第一多晶硅层,以构成所述电容器的第一平板电极和MOS晶体管的电极,以及在衬底上淀积和图形化第二多晶硅层,以构成所述电容器的第二平板电极和双极晶体管的电极。

著录项

  • 公开/公告号CN1619773A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2005-05-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 国际商业机器公司;

    申请/专利号CN200410102169.4

  • 申请日2001-02-28

  • 分类号H01L21/02;H01L21/00;H01L21/82;H01L21/8249;H01L29/00;H01L27/00;

  • 代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人杨生平;陈景峻

  • 地址 美国纽约州

  • 入库时间 2023-12-17 16:12:33

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-03-10

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L21/02 授权公告日:20070815 终止日期:20190228 申请日:20010228

    专利权的终止

  • 2017-11-17

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L21/02 登记生效日:20171031 变更前: 变更后: 申请日:20010228

    专利申请权、专利权的转移

  • 2007-08-15

    授权

    授权

  • 2005-07-27

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-05-25

    公开

    公开

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