在再结晶多晶硅膜中制造合并3-D纵向双极-MOS器件

摘要

本文研究了成形激光束再结晶多晶硅膜的少数载流子性质,在这种膜中成功地制造出纵向双极晶体管和一种3-D 合并纵向双极-MOS 器件,并提出了关于该器件的简单模型.横向晶体管的实验确定了p 型再结晶膜中少数载流子的扩散长度为4μm.使用多晶硅发射极技术,在0.75μm 厚的膜中制造出基区宽度为0.2μm 的纵向双极npn 晶体管.描述了晶体管的增益与氢退火步骤有密切关系.用Ar:H等离子退火减少基区-发射区的空间电荷区域的复合,有可能使共发射极电流增益(β)为100.