公开/公告号CN1612294A
专利类型发明专利
公开/公告日2005-05-04
原文格式PDF
申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;
申请/专利号CN200310103092.8
申请日2003-10-30
分类号H01L21/20;H01L21/205;H01L21/335;C30B25/02;
代理机构北京三友知识产权代理有限公司;
代理人王一斌
地址 台湾省新竹科学工业园区
入库时间 2023-12-17 16:08:21
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2008-06-25
授权
授权
2005-07-06
实质审查的生效
实质审查的生效
2005-05-04
公开
公开
机译: 具有外延稀土氧化物中间层的植入物退火缓冲层/应变松弛缓冲层上的低缺陷松弛SiGe /应变Si结构及其制造方法
机译: 具有外延稀土氧化物中间层的植入物退火缓冲层/应变松弛缓冲层上的低缺陷松弛SiGe /应变Si结构及其制造方法
机译: 具有外延稀土氧化物中间层的植入物退火缓冲层/应变松弛缓冲层上的低缺陷松弛SiGe /应变Si结构及其制造方法