制造具应变的多层结构及具有应变层的场效晶体管的方法

摘要

本发明揭示一种具应变的多层结构的制造方法。首先，在一基底上沉积一渐进硅锗(Si1－xGex)层。随后，在渐进硅锗缓冲层上沉积一硅锗上盖层。最后，在硅锗上盖层上沉积一单晶硅层以形成一应变层，其中渐进硅锗缓冲层、硅锗上盖层及单晶硅层的形成是采用减压化学气相沉积(reduced pressure chemical vapor deposition，RPCVD)并以二硅乙烷(Si2H6)或三硅丙烷(Si3H8)作为制程前驱物(precursor)。本发明亦揭示一种具有应变层的场效晶体管的制造方法。