机译:用局部应变的O〜+离子诱导弛豫技术制备的弹道互补金属氧化物半导体晶体管的具有弛豫/应变层的突然横向源异质结构
Kanagawa University, 2946 Tsuchiya, Hiratsuka, Kanagawa 259-1293, Japan,MIRAI-NIRC, 16-1 Onogawa, Tsukuba, Ibaraki 305-8569, Japan;
Kanagawa University, 2946 Tsuchiya, Hiratsuka, Kanagawa 259-1293, Japan;
MIRAI-Toshiba, 1 Komukai Toshiba-cho, Saiwai-ku, Kawasaki 212-8582, Japan;
AIST, 16-1 Onogawa, Tsukuba, Ibaraki 305-8569, Japan;
MIRAI-NIRC, 16-1 Onogawa, Tsukuba, Ibaraki 305-8569, Japan;
机译:用于准弹道互补金属氧化物半导体晶体管的具有松弛/应变半导体的新源异质结结构:应变衬底的松弛技术和10nm以下器件的设计
机译:在通过离子注入技术制造的非常薄的SiGe弛豫层上形成的应变Si n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:绝缘体上应变硅衬底上应用Ge缩合技术制备的高绝缘体绝缘硅锗p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:用于准弹道CMOS晶体管的具有松弛/应变层的新型源极异质结结构
机译:烷烃硫醇自组装单分子层,反应性自组装单分子层,扁平金纳米颗粒/铟锡氧化物基质的生长介质和温度依赖性结构相的扫描隧道显微镜研究,以及互补金属氧化物中局部机械应力表征的扫描表面光电压显微镜研究半导体器件。
机译:使用自对准和激光干涉光刻技术制造的多栅极ZnO金属氧化物半导体场效应晶体管的性能增强
机译:完全拉伸的应变部分硅绝缘体n型 采用局域化的横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管 接触蚀刻停止层