具有伸张应变的信道层的场效晶体管结构及其制造方法

摘要

本发明涉及一种具有伸张应变的信道层的场效晶体管的制造方法，是于单晶硅基底上磊晶一伸张应变的信道层，其中伸张应变的信道层由将原子尺寸较硅小的元素导入单晶硅层中，以取代硅晶格中硅原子的位置而成。接着，于伸张应变的信道层上形成一栅极绝缘层，以及于栅极绝缘层上形成一栅极电极，之后于栅极电极两侧形成源极/漏极。