机译:具有再生AlGaN接触层的压缩应变In_xAl_(1-x)N / Al_(0.22)Ga_(0.78)N / GaN(x = 0.245-0.325)异质结构场效应晶体管
NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation, 3-1, Morinosato Wakamiya, Atsugi 243-0198, Japan;
rnNTT Photonics Laboratories, NTT Corporation, 3-1, Morinosato Wakamiya, Atsugi 243-0198, Japan;
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机译:栅极结构构造双异质结高电子迁移率晶体管Onal_(0.22)ga_(0.78)as / in_(0.16)ga_(0.84)as / al_(0.22)ga_(0.78)的比较影响研究
机译:具有GaAs / AlGaAs超晶格缓冲层的Al_(0.2)Ga_(0.8)As / In_(0.22)Ga_(0.78)As伪非晶双异质结调制掺杂场效应晶体管的温度相关特性
机译:肖特基漏极接触对AlGaN / AlN / GaN异质结构场效应晶体管的应变AlGaN势垒层的影响
机译:下沉栅对Al_(0.24)Ga_(0.76)As / In_(0.22)Ga_(0.78)As双异质结高电子迁移率晶体管的影响
机译:AlGaN / GaN异质结构场效应晶体管的工艺开发和表征
机译:具有再生欧姆接触的半绝缘Ammono-GaN衬底上的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管
机译:具有薄AlGaN势垒层的AlGaN / GaN异质结构场效应晶体管的Al2O3绝缘栅结构
机译:m面alGaN / GaN和alInN / GaN异质结构的外延生长适用于常驻型GaN基板上的常关模式高功率场效应晶体管