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公开/公告号CN1585216A
专利类型发明专利
公开/公告日2005-02-23
原文格式PDF
申请/专利权人 三星电子株式会社;
申请/专利号CN200410047634.9
发明设计人 金泽;
申请日2004-05-26
分类号H01S5/026;H01S5/183;H01S5/343;
代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;
代理人陶凤波;侯宇
地址 韩国京畿道
入库时间 2023-12-17 16:00:00
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2007-12-12
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-03-08
实质审查的生效
2005-02-23
公开
机译: 具有垂直集成光泵的长波长垂直腔表面发射激光器
机译: 长波长表面发射激光器垂直腔,与光泵垂直集成。
机译:旋转垂直腔表面发射激光器的旋转垂直腔表面发射激光器,具有局部线性双折射并获得二色性
机译:具有高边模抑制功能的长波长MEMS可调垂直腔表面发射激光器
机译:通过MOCVD在具有晶格匹配的AlGaInAs-InP DBR的InP上长波长垂直腔表面发射激光器
机译:通过腔内构图改善长波长晶片熔合垂直腔表面发射激光器的单模发射特性
机译:开发用于外延集成的长波长雪崩光电二极管和垂直腔激光器,作为垂直腔光子数放大器。
机译:垂直腔表面发射半导体激光器平台上的集成等离子体电路
机译:用于神经形态光子学系统的长波长垂直腔表面发射激光器中的可控尖峰图案
机译:用于高性能光信息网络的长波长(1.1-1.5微米)垂直腔面发射激光器和光开关的新型外延生长技术