直拉法生长P型高寿命掺硼硅单晶的方法

摘要

本发明涉及一种直拉法生长P型高寿命掺硼硅单晶的方法。该方法是专门用于生长P型高寿命硅单晶直拉硅单晶生长法。本发明在投料量70～90公斤的Φ20″热装置下生长的Φ150-200mm，P<100>硅单晶的电阻率为3-20Ω·cm，寿命值大于300微秒。本发明对晶体少子寿命的提高不仅表明微观晶格完整性的大大改善而且表明晶体生长中杂质对晶棒沾污和扩散污染大大减少。若将该P型硅片用于太阳能发电可大大提高光电转换效率，若用于集成电路衬底可大大提升产品的相关品质参数。本发明不仅使晶棒的整体少子寿命大大提高，而且断面少子寿命分布趋于均匀，实现单晶硅晶格高完整性和高纯度的产品升级，应用广泛。