首页> 中国专利> 在充作基板之基础芯片上具至少一半导体芯片之半导体组件及制造该组件之方法

在充作基板之基础芯片上具至少一半导体芯片之半导体组件及制造该组件之方法

摘要

本发明提出一种在充作基板之基础芯片上具至少一半导体芯片之半导体组件,其中该至少一半导体芯片及该基础芯片具金属接触区域。该半导体芯片及该基础芯片关于彼此以一种方式对准,此方式为该至少一半导体芯片及该基础芯片的交互经指定接触区域彼此面对且该交互面对区域以电传导方式彼此连接。在此情况下,在该至少一半导体芯片的个别接触区域及与之连接的该基础芯片的接触区域间的距离少于10微米。该基础芯片包含由第一技术制造的组件,且该至少一半导体芯片包含由第二技术制造的组件。

著录项

  • 公开/公告号CN1539163A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2004-10-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 因芬尼昂技术股份公司;

    申请/专利号CN02810396.3

  • 发明设计人 H·休纳;

    申请日2002-05-17

  • 分类号H01L21/60;H01L25/065;H01L21/98;

  • 代理机构中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人章社杲

  • 地址 德国慕尼黑

  • 入库时间 2023-12-17 15:34:51

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2010-09-01

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L21/60 授权公告日:20090211 申请日:20020517

    专利权的终止

  • 2009-02-11

    授权

    授权

  • 2004-12-29

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2004-10-20

    公开

    公开

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