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用于改进碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管中反向层迁移率的方法

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摘要

提供一种用于改进碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)中的反向层迁移率的方法。特别地，本发明提供一种用于将氧化层施加到碳化硅衬底上的方法，以使得所得到的SiC MOSFET的氧化物衬底界面被改进。本方法包括在存在金属杂质的情况下形成氧化层。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2013-08-07

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L21/28 授权公告日:20070228 终止日期:20120614 申请日:20020614

专利权的终止
2007-12-05

专利申请权、专利权的转移专利权的转移变更前: 变更后: 登记生效日:20071026 申请日:20020614

专利申请权、专利权的转移专利权的转移
2007-02-28

授权

授权
2004-12-01

实质审查的生效

实质审查的生效
2004-09-22

公开

公开

1. 用于改进碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管中反向层迁移率的方法 [P] . 中国专利： CN1531744A . 2004-09-22
2. 用于改进碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管中反型层迁移率的方法 [P] . 中国专利： CN1302521C . 2007.02.28
3. Method for improving inversion layer mobility in a silicon carbide metal-oxide semiconductor field-effect transistor [P] . 美国专利： US2003008442A1 . 2003-01-09

机译：改善碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管中的反转层迁移率的方法
4. Method for improving inversion layer mobility in a silicon carbide metal-oxide semiconductor field-effect transistor [P] . 美国专利： US6559068B2 . 2003-05-06

机译：改善碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管中的反转层迁移率的方法
5. METHOD FOR IMPROVING INVERSION LAYER MOBILITY IN A SILICON CARBIDE METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTOR [P] . 欧洲知识产权局专利： EP1430518B1 . 2010-02-10

机译：碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管中提高反型层迁移率的方法