Publisher’s Note: “Limiting mechanism of inversion channel mobility in Al-implanted lateral 4H-SiC metal-oxide semiconductor field-effect transistors” [Appl. Phys. Lett. 99, 072117 (2011)]

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Publisher’s Note: “Limiting mechanism of inversion channel mobility in Al-implanted lateral 4H-SiC metal-oxide semiconductor field-effect transistors” [Appl. Phys. Lett. 99, 072117 (2011)]

机译：发行人注：“注入铝的横向4H-SiC金属氧化物半导体场效应晶体管中反向沟道迁移率的限制机制” [Appl。物理来吧99，072117（2011）]

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《Applied Physics Letters》 |2011年第25期|p.1|共1页
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