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用于在直拉法生长的硅晶体中得到低电阻率的多级砷掺杂法

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摘要

一种方法，该方法通过以多级形式将砷掺杂剂加到熔体中，降低用直拉晶体生长法生产出的硅晶体的电阻率。

1. 用于在直拉法生长的硅晶体中得到低电阻率的多级砷掺杂法 [P] . 中国专利： CN1432076A . 2003-07-23
2. 用于将砷掺杂剂加入硅晶体生长工艺中的方法和装置 [P] . 中国专利： CN1432075A . 2003-07-23
3. Multi-stage arsenic doping process to achieve low resistivity in silicon crystal grown by czochralski method [P] . 美国专利： US6312517B1 . 2001-11-06

机译： czochralski法生长的硅晶体中的多级砷掺杂工艺可实现低电阻率
4. A MULTI-STAGE ARSENIC DOPING PROCESS TO ACHIEVE LOW RESISTIVITY IN SILICON CRYSTAL GROWN BY CZOCHRALSKI METHOD [P] . 韩国专利： KR20030015240A . 2003-02-20

机译： Czochralski法实现硅晶体低电阻率的多阶段砷掺杂工艺
5. A MULTI-STAGE ARSENIC DOPING PROCESS TO ACHIEVE LOW RESISTIVITY IN SILICON CRYSTAL GROWN BY CZOCHRALSKI METHOD [P] . 欧洲知识产权局专利： EP1280945A2 . 2003-02-05

机译： Czochralski法实现硅晶体低电阻率的多阶段砷掺杂工艺