Difference of Gaussian; CZ method; habit lines; single silicon crystal;
机译:Czochralski方法中无Dash的无位错掺杂B的Si晶体生长:B浓度的影响
机译:Czochralski方法生长的无位错硅单晶中生长和生长的微缺陷形成的理论和实验研究
机译:无位错的Czochralski Si晶体生长而没有细颈:由于不完整的晶种而导致的位错行为
机译:Czochralski晶体生长方法炉材料特性的敏感性分析
机译:切克劳斯基方法对钇铝石榴石晶体生长过程中热和动量传递的数值分析。
机译:通过Si纳米尖端晶片上的与图案无关的选择性Ge异质外延实现无位错的Ge纳米晶体。
机译:Czochralski方法生长炉中Si晶体熔体表面水平的在线测量技术
机译:在Czochralski工艺,单晶生长炉中连续补充熔融半导体