一种6英寸直拉重掺硅单晶无位错生长工艺及其热场系统

摘要

本发明公开了一种6英寸直拉重掺硅单晶无位错生长工艺及其热场系统。即熔晶中稳定时间为50‑60分钟，平均温度变化控制在0.3‑0.8℃；引晶中控制细颈直径为3.5‑4mm，细颈长度为150‑200mm，平均引晶速率为250‑350mm/h；放肩中提拉速率设为38mm/h，放肩的降温曲线通过放肩阶段晶体的直径大小进行控制；等径中额外增加补温。由此成功在14英寸热场下生长出了无漩涡无位错6吋重掺硅单晶，氧碳测试结果达到国标，其应用成本低，符合单晶生产要求。本工艺使用新设计的三段式导流筒结构的热场，设计炉底为双层结构，增强了单晶炉的保温性，有助于拉制大尺寸单晶，有效防止拉制重掺单晶过程组分过冷的发生。