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A MULTI-STAGE ARSENIC DOPING PROCESS TO ACHIEVE LOW RESISTIVITY IN SILICON CRYSTAL GROWN BY CZOCHRALSKI METHOD

机译:Czochralski法实现硅晶体低电阻率的多阶段砷掺杂工艺

摘要

A method of lowering the resistivity of resultant silicon crystal from a Czochralski crystal growing process by adding arsenic dopant to the melt in multiple stages.
机译:一种通过在多步阶段将砷掺杂剂添加到熔体中来降低切克劳斯基(Czochralski)晶体生长过程中所得硅晶体电阻率的方法。

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