首页> 外国专利> A MULTI-STAGE ARSENIC DOPING PROCESS TO ACHIEVE LOW RESISTIVITY IN SILICON CRYSTAL GROWN BY CZOCHRALSKI METHOD

A MULTI-STAGE ARSENIC DOPING PROCESS TO ACHIEVE LOW RESISTIVITY IN SILICON CRYSTAL GROWN BY CZOCHRALSKI METHOD

机译:Czochralski法实现硅晶体低电阻率的多阶段砷掺杂工艺

摘要

Title: A MULTI-STAGE ARSENIC DOPING PROCESS TO ACHIEVE LOW RESISTIVITY IN SILICON CRYSTAL GROWN BY CZOCHRALSKI METHOD[err]Abstract: A method of lowering the resistivity of resultant siliconcrystal from a Czochralski crystal growing process by addingarsenic dopant to the melt in multiple stages.
机译:标题:在硅晶体中实现低电阻率的多阶段砷掺杂工艺直拉法生长[呃]摘要:一种降低电阻率的方法Czochralski晶体生长产生的硅晶体向混合物中添加砷掺杂剂的过程阶段。

著录项

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号