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接触式曝光与电子束直写技术相结合的混合曝光方法

摘要

一种接触式曝光与电子束直写技术相结合的混合曝光方法,包括:1:光刻小源漏版,用电子束直写曝光,完成源漏与有源区的欧姆接触部分和检测隔离岛腐蚀状况的方块金属;2:光刻岛版,腐蚀出有源区;3:光刻大源漏栅版,并使形成的大源漏与小源漏搭接在一起,形成完整的源漏金属区,同时形成大面积的栅金属区;4:光刻栅版,通过电子束曝光形成精细的栅条,并与步骤3形成的大面积的栅金属搭接形成完整的栅区。

著录项

  • 公开/公告号CN1392593A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2003-01-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院微电子中心;

    申请/专利号CN01118807.3

  • 发明设计人 郑英奎;和致经;吴德馨;刘明;

    申请日2001-06-14

  • 分类号H01L21/027;G03F7/20;

  • 代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人汤保平

  • 地址 100029 北京市德外祁家豁子

  • 入库时间 2023-12-17 14:36:12

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2004-10-06

    发明专利申请公布后的视为撤回

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2003-04-16

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2003-01-22

    公开

    公开

  • 2001-10-03

    实质审查的生效

    实质审查的生效

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