法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2010-03-31
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2006-03-15
授权
授权
2003-06-04
实质审查的生效
实质审查的生效
2003-05-28
实质审查的生效
实质审查的生效
2002-09-18
公开
公开
机译: 具有在p型电极和有源层之间有效地扩散空穴的间隔物的GaN系列表面发射激光二极管及其制造方法
机译: 具有用于在p型电极和有源层之间有效地扩散空穴的间隔物的GaN系列表面发射激光二极管及其制造方法
机译: 具有在p型电极和有源层之间有效地扩散空穴的间隔物的GaN系列表面发射激光二极管及其制造方法