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杨田林; 张德恒;
山东大学光电所;
山东大学物理系;
液相外延; 蓝色LED; 双流MOVPE; 发光二极管;
机译:蓝光发光二极管(蓝色LED)的氮化镓(GaN膜-N表面)粗糙蚀刻剂的研制
机译:垂直蓝色InGaN-on-SiC发光二极管中电流拥挤对电效率下降的影响
机译:GaN / SiC蓝色发光二极管的高频建模
机译:用于在SiC基板上使用低电能电射线投影光刻的蛾眼结构的制造技术,用于在SiC基板上的高性能蓝色发光二极管
机译:高效紫色和蓝色IngaN微胶囊发光二极管
机译:从硅衬底上分离出来的独立式GaN上的InGaN / GaN蓝色发光二极管的正向隧穿特性研究
机译:高质量的Semipolar GaN / Sapphire模板中生长高效的半极性IngaN长波长发光二极管和蓝色激光二极管的研制
机译:Nichia alGaN / InGaN / GaN蓝色发光二极管的寿命试验
机译:制备方法应用该方法,作者获得了具有有价值特性的Erengan系列不规则和卤素类固醇。拟议的获得式I = 2t L的pregan系列卤素15甾族化合物的方法•其中Z为两个脂族,芳族或芳脂族烃残基,或基团〜.C == Z-环烷基/ /和X是氟或氯原子,其原因在于在式II的化合物中存在'dH.FCHoF20,其中RI和Rj各自为游离或醚化的:1-或为氧基或R2的醚与R2-基团2530,其中R 1和R 2具有指示的值,环氧化物裂解的卤代基奥多洛达HX,其中X具有上述含义,或使用释放该高代基奥多洛德的试剂和所得的卤素-nd德林同时或通过用氢钾钾处理而顺次脱水。
机译:GaN系列发光二极管结构
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