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尤明秋;
无;
激光二极管; 激光器; 砷化镓; 分离密封异质结;
机译:分子束外延生长具有不同缓冲层的ZnCdSe / ZnSe / ZnMgSSe分离约束异质结构的结构和光学研究
机译:p-GaAs上ZnSSe:Te-ZnMgSSe DH结构的高效绿色LED的开发及其降解机理
机译:分子束外延生长的ZnSSe Te / ZnMgSSe DH结构的高效蓝绿色发光二极管
机译:512 nm ZnCdSe / ZnSSe / ZnMgSSe SQW-SCH激光二极管的大功率连续波工作
机译:大功率近谐振1.55微米发射InGaAsP / InP反导二极管激光器阵列。
机译:GaAs(001)上生长的高质量100 nm厚InSb膜具有InxAl1-xSb连续渐变缓冲层的基板
机译:在ZnCDSE缓冲器中生长的Gamnas / InGaAs / Gamnas三层子中层间交换耦合的间隔厚度依赖性
机译:单片二维表面发射应变层InGaas / alGaas和alInGaas / alGaas二极管激光器阵列,具有超过50%的差分量子效率
机译:半导体器件具有ZnCdSe缓冲层和在其上生长的包含Te的II-VI化合物半导体层
机译:具有AlGaAs锌停止扩散层的AlGaAs激光二极管
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