应变无Al有源层InGaAsp/InGaP/In_(0.5)(GaAl)_(0.5)P/GaAs大功率激光二极管(英文)

摘要

生长了 In Ga Asp/In Ga P/In(Al Ga) P材料分别限制应变量子阱半导体激光器 ,发光波长 780 nm。利用电化学 C- V表征材料掺杂 ,掺杂浓度达 10 1 8cm- 1 。利用荧光 PL及 EL表征其光学性质。 PL峰为765 nm。制得 10 0 μm、宽 1m m长条形。测得阈值电流为 3 15 m A,斜率效率超过 1W/A,功率转换可达 40 %左右。注入电流 1.5 A,光功率单管输出达到 1.2 W。