In_(0.5)Ga_(0.5)P/GaAs材料系中有序结构的研究

摘要

利用光致发光（ＰＬ），横截面透射电子显微镜（ＸＴＥＭ）对金属有机物气相外延（ＭＯＶＰＥ）生长的Ｉｎ０．５Ｇａ０．５Ｐ／ＧａＡｓ材料系中的有序结构进行了研究。实验结果指出：（１）材料中有序畴的尺寸，形状及分布特性极大地依赖于材料的生长条件；（２）材料的光学性质和结构性质有密切关系。文中提出了一个物理模型，认为有序Ｉｎ０．５Ｇａ０．５Ｐ材料是一种具有可变带尾态的Ⅱ型量子阱材料。