GaAs衬底上生长的Ga_(0.5)In_(0.5)P外延层中的近红外光致发光对激发强度的依赖关系

赵家龙; 高瑛; 刘学彦; 苏锡安; 梁家昌; 关兴国; 章其麟

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本文首次报道了利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在GaAs衬底上生长的有序的Ga_(0.5)In_(0.5)P外延层的近红外光致发光的研究,并观测到深能级产生的三个发光峰,其峰值能量分别为 1.17,0.99和 0.85eV.根据它们的近红外发光光谱随着激发强度的变化关系,我们证实这些发光都是由于施主-受主对复合产生的发光.

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来源
《半导体学报：英文版》|1992年第4期|236-241|共6页
作者
赵家龙; 高瑛; 刘学彦; 苏锡安; 梁家昌; 关兴国; 章其麟;
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作者单位

中国科学院长春物理研究所;

中国民用航空学院;

河北半导体研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.054;
关键词
衬底; 外延生长; 红外光谱; 强度;

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