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LEOS Topical Meetings on Epitaxial Materials and In-Situ Processing for Optoelectronic Devices
LEOS Topical Meetings on Epitaxial Materials and In-Situ Processing for Optoelectronic Devices
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1.
In Situ Processing And Epitaxial Growth
机译:
原位加工和外延生长
作者:
Temkin H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《LEOS Topical Meetings on Epitaxial Materials and In-Situ Processing for Optoelectronic Devices》
|
2001年
2.
Vacuum Lithography For Nanostructure Fabrication Using Finely Focused Ion Beams
机译:
用于纳米结构制造的真空光刻利用细聚焦离子束
作者:
Harriott L.R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《LEOS Topical Meetings on Epitaxial Materials and In-Situ Processing for Optoelectronic Devices》
|
2001年
3.
Epitaxial Materials - Author Index
机译:
外延材料 - 作者索引
作者:
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《LEOS Topical Meetings on Epitaxial Materials and In-Situ Processing for Optoelectronic Devices》
|
2001年
4.
Fabrication Of Silica Waveguides On Silicon
机译:
硅的二氧化硅波导的制造
作者:
Kazarinov R.F.
;
Henry C.H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《LEOS Topical Meetings on Epitaxial Materials and In-Situ Processing for Optoelectronic Devices》
|
2001年
5.
ZnSe-based Blue/green Light Emitting Diodes
机译:
基于ZnSE的蓝色/绿色发光二极管
作者:
Cheng H.
;
DePuydt J.M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《LEOS Topical Meetings on Epitaxial Materials and In-Situ Processing for Optoelectronic Devices》
|
2001年
6.
Binary Optics 'The Optics Technology Of The Decade'
机译:
二元光学“十年的光学技术”
作者:
Veldkamp W.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《LEOS Topical Meetings on Epitaxial Materials and In-Situ Processing for Optoelectronic Devices》
|
2001年
7.
Digital-like Monolayer Epitaxy Of GalnAs On
机译:
类似的热那亚数码单层淫秽
作者:
Kawanishi H.
;
Ikeda H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《LEOS Topical Meetings on Epitaxial Materials and In-Situ Processing for Optoelectronic Devices》
|
2001年
8.
Prospects For Blue/green Light Emitters Based On II-VI Semiconductors
机译:
基于II-VI半导体的蓝色/绿光发射器的前景
作者:
Schetzina J.F.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《LEOS Topical Meetings on Epitaxial Materials and In-Situ Processing for Optoelectronic Devices》
|
2001年
9.
Smooth And Clean Dry Etching Of GaAs And InP For OIEC Microfabrication
机译:
对GaAs和INP的光滑和清洁干燥蚀刻,用于OIEC微制造
作者:
Asakawa K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《LEOS Topical Meetings on Epitaxial Materials and In-Situ Processing for Optoelectronic Devices》
|
2001年
10.
Microfabrication For Photonics - Author Index
机译:
光子学的微制造 - 作者索引
作者:
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《LEOS Topical Meetings on Epitaxial Materials and In-Situ Processing for Optoelectronic Devices》
|
2001年
11.
Applications Of Low Threshold Current(111I)B GaAs Quantum Well Lasers To Visible Active Generators
机译:
低阈值电流(111i)B GaAs量子孔的应用到可见主动发电机
作者:
Fischer R.J.
;
Vakhshoori D.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《LEOS Topical Meetings on Epitaxial Materials and In-Situ Processing for Optoelectronic Devices》
|
2001年
12.
Etching And OMVPE Regrowth For GalnAs/lnP Quantum Wires
机译:
Galnas / LNP量子线的蚀刻和OMVPE再生
作者:
Miyamoto Y.
;
Arai S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《LEOS Topical Meetings on Epitaxial Materials and In-Situ Processing for Optoelectronic Devices》
|
2001年
13.
The Impact Of The Impurity Induced Layer Disordering Process On Optoelectronic Microfabrication
机译:
杂质诱导层失调过程对光电微制造的影响
作者:
Thornton R.L.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《LEOS Topical Meetings on Epitaxial Materials and In-Situ Processing for Optoelectronic Devices》
|
2001年
14.
Low-damage Dry Etching Of Optoelectronic Devices: Assessment And Solutions
机译:
光电器件的低损伤干蚀刻:评估和解决方案
作者:
Hu E.L.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《LEOS Topical Meetings on Epitaxial Materials and In-Situ Processing for Optoelectronic Devices》
|
2001年
15.
Dry Etch Damage In Quantum Wires
机译:
量子线中的干蚀刻损坏
作者:
Wilkinson C.D.W.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《LEOS Topical Meetings on Epitaxial Materials and In-Situ Processing for Optoelectronic Devices》
|
2001年
16.
Technology And Optical Properties Of Semiconductor Quantum Wires
机译:
半导体量子线的技术和光学性质
作者:
Forchel A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《LEOS Topical Meetings on Epitaxial Materials and In-Situ Processing for Optoelectronic Devices》
|
2001年
17.
MOVPE Of AiGalnP/GalnP Heterostructures For Visible Quantum Well Lasers
机译:
用于可见量子孔激光器的AIGALNP / GALNP异质结构的MOVPE
作者:
Roentgen P.
;
Bona G.L.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《LEOS Topical Meetings on Epitaxial Materials and In-Situ Processing for Optoelectronic Devices》
|
2001年
18.
Crystalline Organic Semiconductor Thin Films Grown By Organic Molecular Beam Disposition: A New Class Of Engineered Materials For Optoelectronics
机译:
通过有机分子束性能生长的晶体有机半导体薄膜:用于光电子的新型工程材料
作者:
So F.F.
;
Forrest S.R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《LEOS Topical Meetings on Epitaxial Materials and In-Situ Processing for Optoelectronic Devices》
|
2001年
19.
The Formation Of Strain-induced Quantum Well Wires By Low Damage Chemical Dry Etching
机译:
通过低损伤化学干蚀刻形成应变诱导量子阱线
作者:
Tan I.-H.
;
Yasuda T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《LEOS Topical Meetings on Epitaxial Materials and In-Situ Processing for Optoelectronic Devices》
|
2001年
20.
RIBE And Sulfur-passivated For GaAiAs/GaAs BH Lasers
机译:
Ribe和硫磺用于GaAIAS / GaAs BH激光器
作者:
Tamanuki T.
;
Koyama F.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《LEOS Topical Meetings on Epitaxial Materials and In-Situ Processing for Optoelectronic Devices》
|
2001年
21.
Design And Fabrication Of In-plane Ridge Waveguide Surface Emitting Lasers With Two Dry Etched 45/spl deg/ Total Reflection Mirrors
机译:
平面内脊波导表面发射激光器的设计和制造具有两个干蚀刻的45 / SPL DEG /全反射镜
作者:
Chao C.P.
;
Law K.-K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《LEOS Topical Meetings on Epitaxial Materials and In-Situ Processing for Optoelectronic Devices》
|
2001年
22.
The Application Of In-situ Laser Reflectometry To MOCVD Growth
机译:
原位激光反射仪在MOCVD生长中的应用
作者:
Hummel S.G.
;
Frateschi N.F.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《LEOS Topical Meetings on Epitaxial Materials and In-Situ Processing for Optoelectronic Devices》
|
2001年
23.
In-situ Processing Of GaAs/AiGaAs By Low Damage Selective Etching And Focussed Ion Beam Patterning
机译:
通过低损伤选择性蚀刻和聚焦离子束图案的原位处理GaAs / AIGAAS
作者:
Skidmore J.A.
;
Spiers G.D.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《LEOS Topical Meetings on Epitaxial Materials and In-Situ Processing for Optoelectronic Devices》
|
2001年
24.
Mass-transport Fabrication Of Efficient Microlenses, Mirrors, Gratings And Monolithic Integrated Diode Lasers
机译:
高效的微透镜,镜子,光栅和单片集成二极管激光器的质量运输制造
作者:
Liau Z.L.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《LEOS Topical Meetings on Epitaxial Materials and In-Situ Processing for Optoelectronic Devices》
|
2001年
25.
Recent Progress In In Situ Electron-beam Lithography Of GaAs
机译:
GaAs原位电子束光刻的最新进展
作者:
Sugimoto Y.
;
Akita K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《LEOS Topical Meetings on Epitaxial Materials and In-Situ Processing for Optoelectronic Devices》
|
2001年
26.
Self-aligned Si-Zn Diffusion For Impurity-induced Disordering Lasers: Extremely Low Threshold And High Yield
机译:
自对准的Si-Zn扩散用于杂质诱导的失调激光器:极低的阈值和高产率
作者:
Zou W.X.
;
Merz J.L.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《LEOS Topical Meetings on Epitaxial Materials and In-Situ Processing for Optoelectronic Devices》
|
2001年
27.
In Situ GaAs Substrate Preparation For III-V And Metal Overgrowth By Molecular Beam Epitaxy
机译:
原位GaAs底物用于III-V和金属过度生长的分子束外延
作者:
Choquette K.D.
;
Hong M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《LEOS Topical Meetings on Epitaxial Materials and In-Situ Processing for Optoelectronic Devices》
|
2001年
28.
Spectrometer On A Chip By Nanofabrication
机译:
纳米制造芯片上的光谱仪
作者:
Hryniewicz J.
;
Tiberio R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《LEOS Topical Meetings on Epitaxial Materials and In-Situ Processing for Optoelectronic Devices》
|
2001年
29.
Molecular Beam Epitaxy: A Production Tool
机译:
分子束外延:生产工具
作者:
Nuyen L.T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《LEOS Topical Meetings on Epitaxial Materials and In-Situ Processing for Optoelectronic Devices》
|
2001年
30.
Epitaxial Liftoff Technology For OEIC's
机译:
OEIC的外延升降技术
作者:
Yablonovitch E.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《LEOS Topical Meetings on Epitaxial Materials and In-Situ Processing for Optoelectronic Devices》
|
2001年
31.
Improvement Of Regrown Hetero-interface In n-GaInAs/i-InP/n-GaInAs Tunneling Diode
机译:
N-GAINAS / I-INP / N-GAINAS隧道二极管中重新引入异质界面的改进
作者:
Miyamoto Y.
;
Suemasu T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《LEOS Topical Meetings on Epitaxial Materials and In-Situ Processing for Optoelectronic Devices》
|
2001年
32.
Reflectivity Measurements Of Electron Beam Written First Order Bragg Gratings On AlGaAs Rib Waveguides
机译:
电子束的反射率测量在Algaas肋骨波导上写入第一阶布拉格光栅
作者:
Vasey F.
;
Ganiere J.D.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《LEOS Topical Meetings on Epitaxial Materials and In-Situ Processing for Optoelectronic Devices》
|
2001年
33.
Study On The Feasibility Of GalnP/AiGaInP Quantum Wire Lasers
机译:
GALNP / AIGAINP量子丝激光器可行性研究
作者:
Lehr G.
;
Bergmann R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《LEOS Topical Meetings on Epitaxial Materials and In-Situ Processing for Optoelectronic Devices》
|
2001年
34.
Etch Resistance Of Focused-ion-beam-implanted SiO/sub 2/
机译:
聚焦离子束植入的SiO / Sub 2的蚀刻电阻/
作者:
Geil B.
;
Merritt S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《LEOS Topical Meetings on Epitaxial Materials and In-Situ Processing for Optoelectronic Devices》
|
2001年
35.
CBE Growth Of Lattice Matched And Strained GalnaA(P)/InP Quantum Wells And DBRs
机译:
CBE格兰特匹配和紧张的Galnaa(P)/ InP量子孔和DBRS
作者:
Iga K.
;
Uchida T.K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《LEOS Topical Meetings on Epitaxial Materials and In-Situ Processing for Optoelectronic Devices》
|
2001年
36.
III-VI Interfacial Compounds
机译:
III-VI界面化合物
作者:
Kobayashi M.
;
Menke D.R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《LEOS Topical Meetings on Epitaxial Materials and In-Situ Processing for Optoelectronic Devices》
|
2001年
37.
Strain Compensated Strained Layer Superlattices For 1.5 Micron Wavelength Lasers
机译:
应变补偿应变层超大图1.5微米波长激光器
作者:
Miller B.L.
;
Koren U.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《LEOS Topical Meetings on Epitaxial Materials and In-Situ Processing for Optoelectronic Devices》
|
2001年
38.
Digital Etching Of GaAs
机译:
数字蚀刻GaAs
作者:
Aoyagi Y.
;
Shinmura K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《LEOS Topical Meetings on Epitaxial Materials and In-Situ Processing for Optoelectronic Devices》
|
2001年
39.
Electron Beam Assisted MOCVD For Quantum Wires And Boxes
机译:
电子束辅助MOCVD为量子线和盒子
作者:
Arakawa Y.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《LEOS Topical Meetings on Epitaxial Materials and In-Situ Processing for Optoelectronic Devices》
|
2001年
40.
Very Low Threshold Current OMCVD Grown AiGaInAs Buried Heterostructure Quantum Well A Novel Etching Technique
机译:
非常低的阈值电流OMCVD种植AIGAINAS掩埋异质结构量子井是一种新颖的蚀刻技术
作者:
Kasukawa A.
;
Bhat R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《LEOS Topical Meetings on Epitaxial Materials and In-Situ Processing for Optoelectronic Devices》
|
2001年
41.
Fabrication Of Monolithic Two-dimensional Surface-emitting Strained-layer InGaAs/AiGaAs And AllnGaAs/AiGaAs Diode-laser Arrays With Over 50 Differential Quantum Efficiencies
机译:
具有超过50%差分量子效率的整体二维表面发射应变层InGaAs / AigaAs和AIGAAS二极管激光阵列的制造具有超过50%的差分量子效率
作者:
Goodhue W.D.
;
Donnelly J.P.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《LEOS Topical Meetings on Epitaxial Materials and In-Situ Processing for Optoelectronic Devices》
|
2001年
42.
AlGaAs Regrown On AiGaAs By MOCVD
机译:
Algaas通过MOCVD重新开始AIGAAS
作者:
Armour E.A.
;
Sun S.Z.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《LEOS Topical Meetings on Epitaxial Materials and In-Situ Processing for Optoelectronic Devices》
|
2001年
43.
Reactive Ion Etching GaAs Vertical-cavity Surface Emitting Lasers
机译:
反应离子蚀刻GaAs垂直腔表面发射激光器
作者:
Choquette K.D.
;
Hasnain G.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《LEOS Topical Meetings on Epitaxial Materials and In-Situ Processing for Optoelectronic Devices》
|
2001年
44.
Analysis Of Surface Roughness On Semiconductor Laser Etched Facets
机译:
半导体激光蚀刻刻面的表面粗糙度分析
作者:
Herrick R.W.
;
Sabo L.G.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《LEOS Topical Meetings on Epitaxial Materials and In-Situ Processing for Optoelectronic Devices》
|
2001年
45.
A Monolithic Individually Addressable Two-dimensional Surface-emitting Diode Laser Array
机译:
单片可单独寻址的二维表面发射二极管激光器阵列
作者:
Mingcho Wu
;
Yung Jui Chen
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《LEOS Topical Meetings on Epitaxial Materials and In-Situ Processing for Optoelectronic Devices》
|
2001年
46.
Future Prospects Of Beam Epitaxies For Optoelectronics
机译:
光电子梁外延的未来前景
作者:
Tsang W.T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《LEOS Topical Meetings on Epitaxial Materials and In-Situ Processing for Optoelectronic Devices》
|
2001年
47.
Fabrication Of Circular Gratings On Lnp By E-beam Lithography And Reactive Ion Etching
机译:
通过电子束光刻和反应离子蚀刻在LNP上制造圆形光栅
作者:
Fallahi M.
;
Wu C.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《LEOS Topical Meetings on Epitaxial Materials and In-Situ Processing for Optoelectronic Devices》
|
2001年
48.
Fabrication Of InGaAs/GaAs Quantum Well Demultiplexing Metal-semiconductor-metal (MSM) Photodetectors Using Selective Bandgap Tuning
机译:
使用选择性带隙调谐的InGaAs / GaAs量子阱复合金属(MSM)光电探测器的制造
作者:
Choudhury A.N.M.M.
;
Melman P.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《LEOS Topical Meetings on Epitaxial Materials and In-Situ Processing for Optoelectronic Devices》
|
2001年
49.
Flexible And Rigid Masks And Alignment In Binary Optics
机译:
柔性刚性掩模和二进制光学的对准
作者:
Everett P.N.
;
Delaney W.F.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《LEOS Topical Meetings on Epitaxial Materials and In-Situ Processing for Optoelectronic Devices》
|
2001年
50.
GaAs/AiGaAs Quantum Wires By Implantation Induced Disordering and The Extension Towards GalnP/AIGalnP
机译:
GaAs / AIGAAS量子电线通过植入诱导性感和延伸到Galnp / Aigalnp
作者:
Prins F.E.
;
Lehr G.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《LEOS Topical Meetings on Epitaxial Materials and In-Situ Processing for Optoelectronic Devices》
|
2001年
51.
High Performance 1.53 /spl mu/m InGaAsP/lnP Surface Emitting Distributed Feedback Laser Diodes With Monolithic Integrated Microlens
机译:
高性能1.53 / SPL MU / M INGAASP / LNP表面发射具有单片集成微透镜的分布式反馈激光二极管
作者:
Stegmuller B.
;
Westermeier H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《LEOS Topical Meetings on Epitaxial Materials and In-Situ Processing for Optoelectronic Devices》
|
2001年
52.
Surface Fermi Level Engineering - Or There's More To Schottky Barriers Than Just The Arguments Among Physicists
机译:
表面费米级工程 - 或者比物理学家之间的争论更多,或者更多的是肖特基障碍
作者:
Woodall J.M.
;
Warren A.C.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《LEOS Topical Meetings on Epitaxial Materials and In-Situ Processing for Optoelectronic Devices》
|
2001年
53.
In-situ CI/sub 2/ Thermal Etching Of GaAs/AiGaAs For Damage Removal In A Plasma Etcher
机译:
原位CI / sub 2 / GaAs / AIGA的热蚀刻,用于损坏等离子体蚀刻器中的损坏
作者:
Lechaton J.S.
;
Buchmann P.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《LEOS Topical Meetings on Epitaxial Materials and In-Situ Processing for Optoelectronic Devices》
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2001年
54.
Characterization Of Dry Etch Induced In Ill/V Micro-structures
机译:
ILL / V微结构中诱导干蚀刻的表征
作者:
Germann R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《LEOS Topical Meetings on Epitaxial Materials and In-Situ Processing for Optoelectronic Devices》
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2001年
55.
RIBE And RIE For Micro Cavity Surface Emitting Lasers Technology And Damage Characterization
机译:
RIBE和RIE用于微腔表面发射激光器技术和损伤表征
作者:
Iga K.
;
Koyama F.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《LEOS Topical Meetings on Epitaxial Materials and In-Situ Processing for Optoelectronic Devices》
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2001年
56.
A Review Of Unstable Resonator Diode Laser Fabrication Using FIBM And RIE
机译:
使用纤维和RIE对不稳定谐振二极管激光制造的综述
作者:
Largent C.
;
Moeller C.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《LEOS Topical Meetings on Epitaxial Materials and In-Situ Processing for Optoelectronic Devices》
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2001年
57.
Optoelectronic Applications Of GaAs Epilayers Containing Arsenic Precipitates
机译:
含有砷沉淀物的GaAs外膜的光电应用
作者:
Warren A.C.
;
Woodall J.M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《LEOS Topical Meetings on Epitaxial Materials and In-Situ Processing for Optoelectronic Devices》
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2001年
58.
Very Smooth AiGaAs/GaAs Quantum-wells Grown By Metalorganic Chemical Vapor Disposition
机译:
由金属有机化学蒸汽置位生长非常平滑的AIGAAS / GAAS量子井
作者:
Dupuis R.D.
;
Neff J.G.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《LEOS Topical Meetings on Epitaxial Materials and In-Situ Processing for Optoelectronic Devices》
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2001年
59.
Gas-source MBE Growth Of III-V Compound Semiconductors
机译:
气源MBE III-V复合半导体的生长
作者:
Tu C.W.
;
Hou H.Q.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《LEOS Topical Meetings on Epitaxial Materials and In-Situ Processing for Optoelectronic Devices》
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2001年
60.
Fabrication Of Controlled Duty Cycle Buried Grating Distribute Feedback Lasers At /spl lambda/=1.51/spl mu/m
机译:
控制占空比埋地光栅分布反馈激光器AT / SPL Lambda / = 1.51 / SPL MU / M.
作者:
Vangieson E.A.
;
Andrews J.T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《LEOS Topical Meetings on Epitaxial Materials and In-Situ Processing for Optoelectronic Devices》
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2001年
61.
A Plasma Etching Process Module For Fabrication Of High Frequency Buried Heterostructure Lasers
机译:
一种用于制造高频掩埋异质结构激光器的等离子体蚀刻工艺模块
作者:
Meland E.
;
Holmstrom R.P.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《LEOS Topical Meetings on Epitaxial Materials and In-Situ Processing for Optoelectronic Devices》
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2001年
62.
Ion Beam Machining Of Optoelectronic Components
机译:
光电部件离子束加工
作者:
Scherer A.
;
Soole J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《LEOS Topical Meetings on Epitaxial Materials and In-Situ Processing for Optoelectronic Devices》
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2001年
63.
Semi-insulating Multiple Quantum Wells As An Optical Imaging Medium
机译:
半绝缘多量子阱作为光学成像介质
作者:
Nolte D.D
;
Wang Q.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《LEOS Topical Meetings on Epitaxial Materials and In-Situ Processing for Optoelectronic Devices》
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2001年
64.
Microscope Metrology With Balanced Illumination
机译:
显微镜计量与平衡照明
作者:
Everett P.N.
;
Goltsos W.C.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《LEOS Topical Meetings on Epitaxial Materials and In-Situ Processing for Optoelectronic Devices》
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2001年
65.
Optoelectronic Devices For Optical Data Storage
机译:
用于光学数据存储的光电器件
作者:
Dewey A.G.
;
Lenth W.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《LEOS Topical Meetings on Epitaxial Materials and In-Situ Processing for Optoelectronic Devices》
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2001年
66.
Nanoscale Band Gap Engineering And Modulation Doping In GaAs-AiGaAs Quantum Well Structures By Focused Ion Beam
机译:
纳米级带隙工程和调制掺杂在GaAs-aigaas量子阱结构中聚焦离子束
作者:
Petroff P.M.
;
Li Y.J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《LEOS Topical Meetings on Epitaxial Materials and In-Situ Processing for Optoelectronic Devices》
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2001年
67.
Image Potentials And Dry Etch Directionality In Integrated Optoelectronics
机译:
集成光电子中的图像电位和干蚀刻方向性
作者:
Davis R.J.
;
Tiwari S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《LEOS Topical Meetings on Epitaxial Materials and In-Situ Processing for Optoelectronic Devices》
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2001年
68.
High Reflectivity, 1.55/spl mu/m InP/lnGaAsP Surface-emitting-laser Mirror Grown By Chemical Beam Epitaxy
机译:
高反射率,1.55 / SPL MU / M INP / LNGAASP通过化学束外延生长的表面发光激光镜
作者:
Choa F.S.
;
Tai K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《LEOS Topical Meetings on Epitaxial Materials and In-Situ Processing for Optoelectronic Devices》
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2001年
69.
Focused-ion-beam Micromachining Of Optical Surfaces In Semiconductor Laser Materials
机译:
半导体激光材料中光学表面的聚焦离子束微机械
作者:
DeFreez R.K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《LEOS Topical Meetings on Epitaxial Materials and In-Situ Processing for Optoelectronic Devices》
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2001年
70.
GalnAsP/l Short Cavity Laser Diodes With Facet Mirrors Etched By Chlorine Gas Reactive Ion Beam Etching
机译:
GalnASP / L短腔激光二极管,具有氯气反应离子束蚀刻蚀刻的小平面镜
作者:
Iwase M.
;
Matsumoto N.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《LEOS Topical Meetings on Epitaxial Materials and In-Situ Processing for Optoelectronic Devices》
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2001年
71.
Reduction Of Residual Oxygen Incorporation In High-power Single Quantum Well Lasers Grown By Molecular Beam Epitaxy
机译:
通过分子束外延生长的高功率单量子孔激光器中的残留氧气掺入
作者:
Ovadia S.
;
Meier H.P.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《LEOS Topical Meetings on Epitaxial Materials and In-Situ Processing for Optoelectronic Devices》
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2001年
72.
The Growth And Performance Of Strained InGaAs/GaAs Multiple Quantum Well Based Asymmetric Fabry-Perot Reflection Modulators
机译:
应变IngaAs / GaAs多量子井的不对称法布里 - 珀罗反射调制器的生长和性能
作者:
Kezhong Hu
;
Li Chen
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《LEOS Topical Meetings on Epitaxial Materials and In-Situ Processing for Optoelectronic Devices》
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2001年
73.
Fabrication Of Grating-surface-emitting Semiconductor Lasers
机译:
光栅表面发射半导体激光器的制造
作者:
Evans G.A.
;
Carlson N.W.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《LEOS Topical Meetings on Epitaxial Materials and In-Situ Processing for Optoelectronic Devices》
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2001年
74.
Electrical And Structural Characterization Of Gaas Vertical-sidewall Layers Grown By Atomic Layer Epitaxy
机译:
由原子层外延生长的GaAs垂直侧壁层的电气和结构特征
作者:
Gladden D.B.
;
Wang C.A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《LEOS Topical Meetings on Epitaxial Materials and In-Situ Processing for Optoelectronic Devices》
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2001年
75.
Development Of High Resolution Reactive Ion Etching Of II-VI Semiconductors Using CH4/H2
机译:
使用CH 4 / H 2的II-VI半导体的高分辨率反应离子蚀刻的研制
作者:
Foad M.A.
;
Dunscomb C.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《LEOS Topical Meetings on Epitaxial Materials and In-Situ Processing for Optoelectronic Devices》
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2001年
76.
Custom Epitaxy - MOVPE In The Real World
机译:
自定义对象 - 在现实世界中的Movpe
作者:
Scott M.D.
;
Nelson A.W.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《LEOS Topical Meetings on Epitaxial Materials and In-Situ Processing for Optoelectronic Devices》
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2001年
77.
Gas Source MBE For InGaAs/lnGaAsP MQW Lasers And InGaAsP/lnAiAs Superlattice APD's
机译:
用于Ingaas / LNgaASP MBE的气体源MBE用于MBW激光器和INGAASP / LNNAIAS超晶格APD
作者:
Iwamura H.
;
Kagawa T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《LEOS Topical Meetings on Epitaxial Materials and In-Situ Processing for Optoelectronic Devices》
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2001年
78.
Microfabrication For Photonics And Optoelectronics
机译:
光子和光电子的微制造
作者:
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《LEOS Topical Meetings on Epitaxial Materials and In-Situ Processing for Optoelectronic Devices》
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2001年
79.
Epitaxial Materials and In-situ Processing For Optoelectronic Devices
机译:
外延材料和光电器件的原位加工
作者:
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《LEOS Topical Meetings on Epitaxial Materials and In-Situ Processing for Optoelectronic Devices》
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2001年
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