高性能硅功率器件内的非均匀少数载流子寿命分布

摘要

一种用于热处理单晶硅段以影响硅段内少数载流子复合中心浓度分布的工艺。此硅段有一个前表面，一个后表面，与一个在前表面和后表面之间的中心平面。在此工艺中，硅段经受一个热处理以形成晶格空位，这些晶格空位形成在硅段的主体内。然后将此硅段从所述热处理温度冷却，其速率使有些而不是全部晶格空位能扩散至前表面以产生具有一个空位浓度分布的硅段，此分布中峰值密度在中心平面处或其附近且密度通常朝硅段前表面方向减小。然后将铂原子扩散到硅基体内使形成的铂浓度分布基本上取决于晶格空位的浓度分布。