少数载流子寿命横向非均匀分布的快恢复二极管特性

摘要

提出了一种快恢复二极管新结构 :少数载流子寿命横向非均匀分布 (m inority- carrier life tim e lateral non- u-niform distribution,ML D)结构 .利用普通的 p+ nn+ 二极管芯片 ,通过掩蔽扩散选择性地掺入深能级杂质 ,制备出了掺 Au、Pt的 ML D快恢复二极管 .测试结果表明 ,虽然这种快恢复二极管正向压降 -反恢时间兼容特性略差 ,且反向漏电流较大 ,但是具有十分良好的反恢时间 -温度的稳定特性 ,可以用于对反恢时间变化要求严格的领域 .