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邹密; 马奎;
贵州大学大数据与信息工程学院 贵州贵阳550025;
贵州省微纳电子与软件技术重点实验室 贵州贵阳550025;
绝缘栅双极晶体管; 载流子控制方法; 器件性能; 关断损耗; 导通压降;
机译:高压大功率IGBT器件可靠性研究综述
机译:沟槽栅极IGBT和CIGBT器件提高大功率模块功率密度的比较
机译:1.4 kV非穿通沟槽式IGBT的优化设计:下一代大功率开关器件
机译:沟槽栅极IGBT和CIGBT器件在3.3kV大功率模块应用中的比较
机译:适用于大功率MOSFET和IGBT的智能栅极驱动器。
机译:用IGBT H桥和双向降压对低成本4G器件进行控制的压电能量收集
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机译:大功率开关及其他大功率器件基础研究方案
机译:具有用于使IGBT单元中的载流子浓度去饱和的去饱和沟道结构的半导体器件
机译:具有用于使IGBT单元中的电荷载流子浓度去饱和的去饱和沟道结构的半导体器件
机译:在载流子聚集场景中报告载流子最大功率的方法和装置
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