一种具有二极管钳位载流子存储层的槽栅IGBT器件

摘要

本发明属于功率半导体技术领域，提供一种具有二极管钳位载流子存储层的槽栅IGBT器件，用以解决传统结构存在的导通压降高、关断速度慢、短路安全工作区小以及栅驱动功耗大等问题。本发明通过在硅片表面集成串联的PN结二极管和p型肖特基二极管、或者串联的两个p型肖特基二极管用于钳位P型电场屏蔽区的电位，进而将CSL电位屏蔽，从而可以大幅度提高CSL的掺杂浓度；CSL层的重掺杂能够提高IGBT发射结的电子注入效率，极大地优化IGBT的导通压降和关断速度之间的折中关系；此外，由于MOS沟道的漏极电压，即CSL电位被屏蔽在一个很低的值，能够极大地降低IGBT的饱和电流密度，有利于增大短路安全工作区。